HGN230N10AL Todos los transistores

 

HGN230N10AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGN230N10AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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HGN230N10AL Datasheet (PDF)

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HGN230N10AL

HGN230N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level21.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability28RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness29 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested22.5 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

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 hgn230a10al.pdf pdf_icon

HGN230N10AL

HGN230A10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level21.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability28RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness23 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Drain1

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History: KTS3C3F30L | NTMFS4927NT1G | SQ3427EV | IXFK32N90P | FQL50N40 | SQ2308BES | BRCS30N02DP

 

 
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