HGN230N10AL - аналоги и даташиты транзистора

 

HGN230N10AL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGN230N10AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN230N10AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN230N10AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:899K  cn hunteck
 hgn230n10al.pdf pdf_icon

HGN230N10AL

HGN230N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level21.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability28RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness29 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested22.5 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

 8.1. Size:931K  cn hunteck
 hgn230a10al.pdf pdf_icon

HGN230N10AL

HGN230A10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level21.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability28RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness23 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Drain1

Другие MOSFET... HGN170A10AL , HGN170N10AL , HGN190N15S , HGN195N15S , HGN195N15SL , HGN200N10SL , HGN210N12SL , HGN230A10AL , IRF530 , HGN240N15S , HGN290N10SL , HGN320N20S , HGN320N20SL , HGN480N15M , HGN640N25S , HGN650N15S , HGN650N15SL .

 

 
Back to Top

 


 
.