HGN290N10SL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGN290N10SL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de HGN290N10SL MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HGN290N10SL datasheet

 ..1. Size:766K  cn hunteck
 hgn290n10sl.pdf pdf_icon

HGN290N10SL

HGN290N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 21 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 25 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 30 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 30 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous

Otros transistores... HGN190N15S, HGN195N15S, HGN195N15SL, HGN200N10SL, HGN210N12SL, HGN230A10AL, HGN230N10AL, HGN240N15S, AON6380, HGN320N20S, HGN320N20SL, HGN480N15M, HGN640N25S, HGN650N15S, HGN650N15SL, HGP028NE6AL, HGP035N08AL