Справочник MOSFET. HGN290N10SL

 

HGN290N10SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN290N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN290N10SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN290N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  cn hunteck
 hgn290n10sl.pdf pdf_icon

HGN290N10SL

HGN290N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level21RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability25RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness30 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested30 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

Другие MOSFET... HGN190N15S , HGN195N15S , HGN195N15SL , HGN200N10SL , HGN210N12SL , HGN230A10AL , HGN230N10AL , HGN240N15S , IRLZ44N , HGN320N20S , HGN320N20SL , HGN480N15M , HGN640N25S , HGN650N15S , HGN650N15SL , HGP028NE6AL , HGP035N08AL .

History: VBZFB50N06

 

 
Back to Top

 


 
.