HGN290N10SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN290N10SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN290N10SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN290N10SL даташит

 ..1. Size:766K  cn hunteck
 hgn290n10sl.pdf pdf_icon

HGN290N10SL

HGN290N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 21 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 25 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 30 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 30 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous

Другие IGBT... HGN190N15S, HGN195N15S, HGN195N15SL, HGN200N10SL, HGN210N12SL, HGN230A10AL, HGN230N10AL, HGN240N15S, AON6380, HGN320N20S, HGN320N20SL, HGN480N15M, HGN640N25S, HGN650N15S, HGN650N15SL, HGP028NE6AL, HGP035N08AL