Справочник MOSFET. HGN290N10SL

 

HGN290N10SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGN290N10SL
   Маркировка: GN290N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для HGN290N10SL

 

 

HGN290N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  cn hunteck
 hgn290n10sl.pdf

HGN290N10SL HGN290N10SL

HGN290N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level21RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability25RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness30 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested30 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top