SP2013 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SP2013
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TSON3.3X3.3
- Selección de transistores por parámetros
SP2013 Datasheet (PDF)
sp2013.pdf
GreenProductSP2013aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.20 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.21 @ VGS=-4.0V -20V -8.5A 22 @ VGS=-3.7V25 @ VGS=-3.1V28 @ VGS=-2.5VD 5 4 G6 3D S7 2D SPin 1D 8
Otros transistores... SP2106 , FDS8935 , FDS8949 , FDS8949F085 , FDS8958AF085 , SP2103 , SP2102 , FDS8958B , IRFZ48N , SP07N65 , FDS8978 , 2SK3116B , FDS8984 , SDU07N65 , FDS8984F085 , SDU06N60 , FDS9400A .
History: FDS9926A | ET6309 | CHM71A3PAGP | IRF8852 | AP2312GN | SSM9585GP | STM6920
History: FDS9926A | ET6309 | CHM71A3PAGP | IRF8852 | AP2312GN | SSM9585GP | STM6920
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet