SP2013 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SP2013
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Encapsulados: TSON3.3X3.3
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SP2013 datasheet
sp2013.pdf
Green Product SP2013 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 20 @ VGS=-4.5V Suface Mount Package. 21 @ VGS=-4.0V -20V -8.5A 22 @ VGS=-3.7V 25 @ VGS=-3.1V 28 @ VGS=-2.5V D 5 4 G 6 3 D S 7 2 D S Pin 1 D 8
Otros transistores... SP2106 , FDS8935 , FDS8949 , FDS8949F085 , FDS8958AF085 , SP2103 , SP2102 , FDS8958B , IRF830 , SP07N65 , FDS8978 , 2SK3116B , FDS8984 , SDU07N65 , FDS8984F085 , SDU06N60 , FDS9400A .
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