Справочник MOSFET. SP2013

 

SP2013 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP2013
   Маркировка: 2013
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   trⓘ - Время нарастания: 81 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TSON3.3X3.3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SP2013 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  samhop
sp2013.pdfpdf_icon

SP2013

GreenProductSP2013aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.20 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.21 @ VGS=-4.0V -20V -8.5A 22 @ VGS=-3.7V25 @ VGS=-3.1V28 @ VGS=-2.5VD 5 4 G6 3D S7 2D SPin 1D 8

 9.1. Size:368K  st
sgsp201.pdfpdf_icon

SP2013

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STP601 | AP70T03GS | ME2320D-G | AP9T15GH | SSR1N60BTM | IXFR32N100P | H7N0307AB

 

 
Back to Top

 


 
.