SP2013 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SP2013
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TSON3.3X3.3
Аналог (замена) для SP2013
SP2013 Datasheet (PDF)
sp2013.pdf
GreenProductSP2013aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.20 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.21 @ VGS=-4.0V -20V -8.5A 22 @ VGS=-3.7V25 @ VGS=-3.1V28 @ VGS=-2.5VD 5 4 G6 3D S7 2D SPin 1D 8
Другие MOSFET... SP2106 , FDS8935 , FDS8949 , FDS8949F085 , FDS8958AF085 , SP2103 , SP2102 , FDS8958B , IRF830 , SP07N65 , FDS8978 , 2SK3116B , FDS8984 , SDU07N65 , FDS8984F085 , SDU06N60 , FDS9400A .
History: IRLTS2242 | STA6610 | FDS86252 | SVS20N60TD2 | S10H06RN | AO4474 | 7506
History: IRLTS2242 | STA6610 | FDS86252 | SVS20N60TD2 | S10H06RN | AO4474 | 7506
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet