SP2013 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SP2013
Маркировка: 2013
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TSON3.3X3.3
Аналог (замена) для SP2013
SP2013 Datasheet (PDF)
sp2013.pdf
GreenProductSP2013aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.20 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.21 @ VGS=-4.0V -20V -8.5A 22 @ VGS=-3.7V25 @ VGS=-3.1V28 @ VGS=-2.5VD 5 4 G6 3D S7 2D SPin 1D 8
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IRLBA1304 | JANSR2N7401
History: IRLBA1304 | JANSR2N7401
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPL1050PU | JMPL1050PK | JMPL1050PG | JMPL1050AY | JMPL1050AUQ | JMPL1050AU | JMPL1050APD | JMPL1050AP | JMPL1050AKQ | JMPL1050AK | JMPL1050AGQ | JMPL1050AG | JMPL1050AE | JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ
Popular searches
ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet