HGN320N20S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGN320N20S
   Código: GN320N20S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGN320N20S

HGN320N20S Datasheet (PDF)

..1. Size:896K cn hunteck
hgn320n20s.pdf

P-1HGN320N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching 200 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability 28RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDFN5*6Gate Power Tools UPS M

0.1. Size:906K cn hunteck
hgn320n20sl.pdf

P-1HGN320N20SL200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level28RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability33RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness41 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed C

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: