HGN320N20S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN320N20S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN320N20S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN320N20S даташит

 ..1. Size:896K  cn hunteck
 hgn320n20s.pdf pdf_icon

HGN320N20S

P-1 HGN320N20S 200V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 200 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 28 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit DFN5*6 Gate Power Tools UPS M

 0.1. Size:906K  cn hunteck
 hgn320n20sl.pdf pdf_icon

HGN320N20S

P-1 HGN320N20SL 200V N-Ch Power MOSFET Feature 200 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 28 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 33 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 41 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed C

Другие IGBT... HGN195N15S, HGN195N15SL, HGN200N10SL, HGN210N12SL, HGN230A10AL, HGN230N10AL, HGN240N15S, HGN290N10SL, IRF530, HGN320N20SL, HGN480N15M, HGN640N25S, HGN650N15S, HGN650N15SL, HGP028NE6AL, HGP035N08AL, HGP042N10AL