Справочник MOSFET. HGN320N20S

 

HGN320N20S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN320N20S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN320N20S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:896K  cn hunteck
 hgn320n20s.pdf pdf_icon

HGN320N20S

P-1HGN320N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching 200 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability 28RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDFN5*6Gate Power Tools UPS M

 0.1. Size:906K  cn hunteck
 hgn320n20sl.pdf pdf_icon

HGN320N20S

P-1HGN320N20SL200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level28RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability33RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness41 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed C

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: WMB35P06TS | 2SK4108 | CM20N50P | JCS2N60MB | 2SK2424 | P0908ATF | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.