HGN320N20SL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGN320N20SL  📄📄 

Código: GN320N20SL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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HGN320N20SL datasheet

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HGN320N20SL

P-1 HGN320N20SL 200V N-Ch Power MOSFET Feature 200 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 28 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 33 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 41 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed C

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HGN320N20SL

P-1 HGN320N20S 200V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 200 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 28 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit DFN5*6 Gate Power Tools UPS M

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