HGN320N20SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGN320N20SL
   Código: GN320N20SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGN320N20SL

HGN320N20SL Datasheet (PDF)

..1. Size:906K cn hunteck
hgn320n20sl.pdf

P-1HGN320N20SL200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level28RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability33RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness41 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed C

4.1. Size:896K cn hunteck
hgn320n20s.pdf

P-1HGN320N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching 200 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability 28RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDFN5*6Gate Power Tools UPS M

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