Справочник MOSFET. HGN320N20SL

 

HGN320N20SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN320N20SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN320N20SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN320N20SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:906K  cn hunteck
hgn320n20sl.pdfpdf_icon

HGN320N20SL

P-1HGN320N20SL200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level28RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability33RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness41 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed C

 4.1. Size:896K  cn hunteck
hgn320n20s.pdfpdf_icon

HGN320N20SL

P-1HGN320N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching 200 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability 28RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDFN5*6Gate Power Tools UPS M

Другие MOSFET... HGN195N15SL , HGN200N10SL , HGN210N12SL , HGN230A10AL , HGN230N10AL , HGN240N15S , HGN290N10SL , HGN320N20S , IRLB4132 , HGN480N15M , HGN640N25S , HGN650N15S , HGN650N15SL , HGP028NE6AL , HGP035N08AL , HGP042N10AL , HGP045NE4SL .

History: IXTQ180N085T | BSC026NE2LS5 | FDMS86150ET100 | LP2501DT1G | 2SJ605 | QM4013D | CEP75N10

 

 
Back to Top

 


 
.