HGN320N20SL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HGN320N20SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для HGN320N20SL
HGN320N20SL Datasheet (PDF)
hgn320n20sl.pdf

P-1HGN320N20SL200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level28RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability33RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness41 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed C
hgn320n20s.pdf

P-1HGN320N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching 200 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability 28RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDFN5*6Gate Power Tools UPS M
Другие MOSFET... HGN195N15SL , HGN200N10SL , HGN210N12SL , HGN230A10AL , HGN230N10AL , HGN240N15S , HGN290N10SL , HGN320N20S , IRLB4132 , HGN480N15M , HGN640N25S , HGN650N15S , HGN650N15SL , HGP028NE6AL , HGP035N08AL , HGP042N10AL , HGP045NE4SL .
History: BRCS080N03YB | AP4085G
History: BRCS080N03YB | AP4085G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205