HGN480N15M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGN480N15M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de HGN480N15M MOSFET
HGN480N15M Datasheet (PDF)
hgn480n15m.pdf

HGN480N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching44RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability27 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsGate UPSDFN5
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History: SWB088R06VT | UT150N04 | STB20NM50-1
History: SWB088R06VT | UT150N04 | STB20NM50-1



Liste
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