HGN480N15M Todos los transistores

 

HGN480N15M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGN480N15M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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HGN480N15M Datasheet (PDF)

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HGN480N15M

HGN480N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching44RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability27 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsGate UPSDFN5

Otros transistores... HGN200N10SL , HGN210N12SL , HGN230A10AL , HGN230N10AL , HGN240N15S , HGN290N10SL , HGN320N20S , HGN320N20SL , IRFP450 , HGN640N25S , HGN650N15S , HGN650N15SL , HGP028NE6AL , HGP035N08AL , HGP042N10AL , HGP045NE4SL , HGP050N10AL .

History: NDH8304P | SIA813DJ | FDD6N20TF | P06P03LVG | AM70N10-44P | FQB13N50CTM

 

 
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