Справочник MOSFET. HGN480N15M

 

HGN480N15M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN480N15M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN480N15M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN480N15M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:894K  cn hunteck
 hgn480n15m.pdf pdf_icon

HGN480N15M

HGN480N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching44RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability27 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsGate UPSDFN5

Другие MOSFET... HGN200N10SL , HGN210N12SL , HGN230A10AL , HGN230N10AL , HGN240N15S , HGN290N10SL , HGN320N20S , HGN320N20SL , IRFP450 , HGN640N25S , HGN650N15S , HGN650N15SL , HGP028NE6AL , HGP035N08AL , HGP042N10AL , HGP045NE4SL , HGP050N10AL .

History: IRF620PBF | STB20NM50-1

 

 
Back to Top

 


 
.