HGN640N25S Todos los transistores

 

HGN640N25S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGN640N25S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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HGN640N25S Datasheet (PDF)

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HGN640N25S

HGN640N25S P-1250V N-Ch Power MOSFETFeature 250 VVDS High Speed Power Switching 50RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 29 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Gate Power Tools DFN5*6

Otros transistores... HGN210N12SL , HGN230A10AL , HGN230N10AL , HGN240N15S , HGN290N10SL , HGN320N20S , HGN320N20SL , HGN480N15M , IRFP250 , HGN650N15S , HGN650N15SL , HGP028NE6AL , HGP035N08AL , HGP042N10AL , HGP045NE4SL , HGP050N10AL , HGP070N12SL .

History: PFB2N60 | AP4501AGEM-HF | GP2M007A065XG | AP6N1R7CDT | SPI21N50C3 | 2SK1421 | VP3203N3

 

 
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