HGN640N25S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HGN640N25S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для HGN640N25S
HGN640N25S Datasheet (PDF)
hgn640n25s.pdf

HGN640N25S P-1250V N-Ch Power MOSFETFeature 250 VVDS High Speed Power Switching 50RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 29 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Gate Power Tools DFN5*6
Другие MOSFET... HGN210N12SL , HGN230A10AL , HGN230N10AL , HGN240N15S , HGN290N10SL , HGN320N20S , HGN320N20SL , HGN480N15M , IRFP250 , HGN650N15S , HGN650N15SL , HGP028NE6AL , HGP035N08AL , HGP042N10AL , HGP045NE4SL , HGP050N10AL , HGP070N12SL .
History: AP2344GEN-HF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | CJP10N60 | NCEP048N85 | 2SK3793 | IRFG5110
History: AP2344GEN-HF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | CJP10N60 | NCEP048N85 | 2SK3793 | IRFG5110



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414