HGN640N25S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN640N25S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN640N25S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN640N25S даташит

 ..1. Size:973K  cn hunteck
 hgn640n25s.pdf pdf_icon

HGN640N25S

HGN640N25S P-1 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Switching 50 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 29 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Gate Power Tools DFN5*6

Другие IGBT... HGN210N12SL, HGN230A10AL, HGN230N10AL, HGN240N15S, HGN290N10SL, HGN320N20S, HGN320N20SL, HGN480N15M, AON7506, HGN650N15S, HGN650N15SL, HGP028NE6AL, HGP035N08AL, HGP042N10AL, HGP045NE4SL, HGP050N10AL, HGP070N12SL