HGP1K2N25ML Todos los transistores

 

HGP1K2N25ML MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGP1K2N25ML
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de HGP1K2N25ML MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HGP1K2N25ML Datasheet (PDF)

 ..1. Size:823K  cn hunteck
 hgp1k2n25ml.pdf pdf_icon

HGP1K2N25ML

HGP1K2N25ML P-1250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level87RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability93RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness25 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Spe

 6.1. Size:832K  cn hunteck
 hgp1k2n20ml.pdf pdf_icon

HGP1K2N25ML

HGP1K2N20ML P-1200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level95RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability106RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness18 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Sp

Otros transistores... HGP080N10S , HGP080N10SL , HGP098N10S , HGP100N12SL , HGP130N12SL , HGP190N15SL , HGP195N15SL , HGP1K2N20ML , CS150N03A8 , HGP230N10A , HGP2K4N25ML , HGS038NE4SL , HGS046NE6A , HGS046NE6AL , HGS048N06SL , HGS054NE4SL , HGS059N08A .

History: NCE85H21C | NTJS4405NT1 | HTD2K4P15T | SHD225628

 

 
Back to Top

 


 
.