Справочник MOSFET. HGP1K2N25ML

 

HGP1K2N25ML Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGP1K2N25ML
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HGP1K2N25ML

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGP1K2N25ML Datasheet (PDF)

 ..1. Size:823K  cn hunteck
 hgp1k2n25ml.pdf pdf_icon

HGP1K2N25ML

HGP1K2N25ML P-1250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level87RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability93RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness25 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Spe

 6.1. Size:832K  cn hunteck
 hgp1k2n20ml.pdf pdf_icon

HGP1K2N25ML

HGP1K2N20ML P-1200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level95RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability106RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness18 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Sp

Другие MOSFET... HGP080N10S , HGP080N10SL , HGP098N10S , HGP100N12SL , HGP130N12SL , HGP190N15SL , HGP195N15SL , HGP1K2N20ML , CS150N03A8 , HGP230N10A , HGP2K4N25ML , HGS038NE4SL , HGS046NE6A , HGS046NE6AL , HGS048N06SL , HGS054NE4SL , HGS059N08A .

History: 9N90G-TF2-T | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | APT66F60B2 | CS10N65FA9HD | IPB80N04S4L-04 | 2SJ358

 

 
Back to Top

 


 
.