HGS038NE4SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGS038NE4SL
Código: GS038NE4SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 45 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Carga de la puerta (Qg): 50 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1367 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0038 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
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HGS038NE4SL Datasheet (PDF)
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HGS038NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.2RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability3.9RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness20 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Swit
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