HGS038NE4SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS038NE4SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1367 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS038NE4SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS038NE4SL даташит

 ..1. Size:914K  cn hunteck
 hgs038ne4sl.pdf pdf_icon

HGS038NE4SL

HGS038NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 3.2 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 3.9 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 20 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS SOIC-8 Hard Swit

Другие IGBT... HGP100N12SL, HGP130N12SL, HGP190N15SL, HGP195N15SL, HGP1K2N20ML, HGP1K2N25ML, HGP230N10A, HGP2K4N25ML, IRFZ24N, HGS046NE6A, HGS046NE6AL, HGS048N06SL, HGS054NE4SL, HGS059N08A, HGS059N08AL, HGS060N06SL, HGS063N08SL