Справочник MOSFET. HGS038NE4SL

 

HGS038NE4SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS038NE4SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1367 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS038NE4SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS038NE4SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:914K  cn hunteck
 hgs038ne4sl.pdf pdf_icon

HGS038NE4SL

HGS038NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.2RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability3.9RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness20 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Swit

Другие MOSFET... HGP100N12SL , HGP130N12SL , HGP190N15SL , HGP195N15SL , HGP1K2N20ML , HGP1K2N25ML , HGP230N10A , HGP2K4N25ML , AON6380 , HGS046NE6A , HGS046NE6AL , HGS048N06SL , HGS054NE4SL , HGS059N08A , HGS059N08AL , HGS060N06SL , HGS063N08SL .

History: AP75T10GP | PM516BZ

 

 
Back to Top

 


 
.