HGS048N06SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGS048N06SL
Código: GS048N06SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 21 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 49 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1200 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0048 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGS048N06SL
HGS048N06SL Datasheet (PDF)
hgs048n06sl.pdf
HGS048N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability4.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness21 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Swit
hgs046ne6al.pdf
HGS046NE6ALP-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 4.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 18 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in
hgs046ne6a.pdf
HGS046NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching4.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability17 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit Pin2
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