HGS048N06SL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGS048N06SL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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HGS048N06SL datasheet

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HGS048N06SL

HGS048N06SL P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 3.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 4.8 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 21 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS SOIC-8 Hard Swit

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HGS048N06SL

HGS046NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 4.3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 18 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in

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HGS048N06SL

HGS046NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 4.7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 17 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit Pin2

Otros transistores... HGP195N15SL, HGP1K2N20ML, HGP1K2N25ML, HGP230N10A, HGP2K4N25ML, HGS038NE4SL, HGS046NE6A, HGS046NE6AL, P60NF06, HGS054NE4SL, HGS059N08A, HGS059N08AL, HGS060N06SL, HGS063N08SL, HGS080N10AL, HGS080N10SL, HGS085N10SL