Справочник MOSFET. HGS048N06SL

 

HGS048N06SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGS048N06SL
   Маркировка: GS048N06SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 21 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 49 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 1200 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для HGS048N06SL

 

 

HGS048N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1008K  cn hunteck
hgs048n06sl.pdf

HGS048N06SL
HGS048N06SL

HGS048N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability4.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness21 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Swit

 9.1. Size:1147K  cn hunteck
hgs046ne6al.pdf

HGS048N06SL
HGS048N06SL

HGS046NE6ALP-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 4.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 18 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in

 9.2. Size:909K  cn hunteck
hgs046ne6a.pdf

HGS048N06SL
HGS048N06SL

HGS046NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching4.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability17 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit Pin2

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: ASDM4406S

 

 
Back to Top