HGS060N06SL Todos los transistores

 

HGS060N06SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGS060N06SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 793 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
 

 Búsqueda de reemplazo de HGS060N06SL MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HGS060N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:920K  cn hunteck
 hgs060n06sl.pdf pdf_icon

HGS060N06SL

HGS060N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability5.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness17 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Swit

 9.1. Size:906K  cn hunteck
 hgs063n08sl.pdf pdf_icon

HGS060N06SL

HGS063N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability6.2RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness16.6 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

Otros transistores... HGP2K4N25ML , HGS038NE4SL , HGS046NE6A , HGS046NE6AL , HGS048N06SL , HGS054NE4SL , HGS059N08A , HGS059N08AL , IRFZ48N , HGS063N08SL , HGS080N10AL , HGS080N10SL , HGS085N10SL , HGS085NE6AL , HGS089N08SL , HGS090N06SL , HGS090NE6A .

History: TK16A45D

 

 
Back to Top

 


 
.