HGS060N06SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS060N06SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 793 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS060N06SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS060N06SL даташит

 ..1. Size:920K  cn hunteck
 hgs060n06sl.pdf pdf_icon

HGS060N06SL

HGS060N06SL P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 4.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 5.8 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 17 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS SOIC-8 Hard Swit

 9.1. Size:906K  cn hunteck
 hgs063n08sl.pdf pdf_icon

HGS060N06SL

HGS063N08SL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 4.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.2 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 16.6 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

Другие IGBT... HGP2K4N25ML, HGS038NE4SL, HGS046NE6A, HGS046NE6AL, HGS048N06SL, HGS054NE4SL, HGS059N08A, HGS059N08AL, STP65NF06, HGS063N08SL, HGS080N10AL, HGS080N10SL, HGS085N10SL, HGS085NE6AL, HGS089N08SL, HGS090N06SL, HGS090NE6A