HGS063N08SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGS063N08SL
Código: GS063N08SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 46 nC
Tiempo de subida (tr): 7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 385 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0063 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGS063N08SL
HGS063N08SL Datasheet (PDF)
hgs063n08sl.pdf
HGS063N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability6.2RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness16.6 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching
hgs060n06sl.pdf
HGS060N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability5.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness17 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Swit
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