Справочник MOSFET. HGS063N08SL

 

HGS063N08SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS063N08SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS063N08SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS063N08SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:906K  cn hunteck
 hgs063n08sl.pdf pdf_icon

HGS063N08SL

HGS063N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability6.2RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness16.6 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

 9.1. Size:920K  cn hunteck
 hgs060n06sl.pdf pdf_icon

HGS063N08SL

HGS060N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability5.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness17 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Swit

Другие MOSFET... HGS038NE4SL , HGS046NE6A , HGS046NE6AL , HGS048N06SL , HGS054NE4SL , HGS059N08A , HGS059N08AL , HGS060N06SL , NCEP15T14 , HGS080N10AL , HGS080N10SL , HGS085N10SL , HGS085NE6AL , HGS089N08SL , HGS090N06SL , HGS090NE6A , HGS090NE6AL .

History: VBA2333 | RJK2017DPP | APT60M80L2VFRG | QM3009S | BSC072N03LDG | SL2308

 

 
Back to Top

 


 
.