Справочник MOSFET. HGS063N08SL

 

HGS063N08SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGS063N08SL
   Маркировка: GS063N08SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 46 nC
   Время нарастания (tr): 7 ns
   Выходная емкость (Cd): 385 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для HGS063N08SL

 

 

HGS063N08SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:906K  cn hunteck
hgs063n08sl.pdf

HGS063N08SL HGS063N08SL

HGS063N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability6.2RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness16.6 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

 9.1. Size:920K  cn hunteck
hgs060n06sl.pdf

HGS063N08SL HGS063N08SL

HGS060N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability5.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness17 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Swit

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top