Справочник MOSFET. HGS063N08SL

 

HGS063N08SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGS063N08SL
   Маркировка: GS063N08SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для HGS063N08SL

 

 

HGS063N08SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:906K  cn hunteck
 hgs063n08sl.pdf

HGS063N08SL HGS063N08SL

HGS063N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability6.2RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness16.6 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

 9.1. Size:920K  cn hunteck
 hgs060n06sl.pdf

HGS063N08SL HGS063N08SL

HGS060N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability5.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness17 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Swit

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top