HGS063N08SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS063N08SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS063N08SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS063N08SL даташит

 ..1. Size:906K  cn hunteck
 hgs063n08sl.pdf pdf_icon

HGS063N08SL

HGS063N08SL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 4.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.2 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 16.6 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

 9.1. Size:920K  cn hunteck
 hgs060n06sl.pdf pdf_icon

HGS063N08SL

HGS060N06SL P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 4.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 5.8 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 17 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS SOIC-8 Hard Swit

Другие IGBT... HGS038NE4SL, HGS046NE6A, HGS046NE6AL, HGS048N06SL, HGS054NE4SL, HGS059N08A, HGS059N08AL, HGS060N06SL, IRF1405, HGS080N10AL, HGS080N10SL, HGS085N10SL, HGS085NE6AL, HGS089N08SL, HGS090N06SL, HGS090NE6A, HGS090NE6AL