HGS085NE6AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGS085NE6AL
   Código: GS085NE6AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 518 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGS085NE6AL

HGS085NE6AL Datasheet (PDF)

..1. Size:927K cn hunteck
hgs085ne6al.pdf

HGS085NE6AL P-170V N-Ch Power MOSFETFeature70 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplicationSOIC-8 Synchronous Rectification in SMPSDrain

7.1. Size:926K cn hunteck
hgs085n10sl.pdf

HGS085N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

9.1. Size:917K cn hunteck
hgs080n10sl.pdf

HGS080N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching an

9.2. Size:907K cn hunteck
hgs080n10al.pdf

HGS080N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14.4 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

9.3. Size:908K cn hunteck
hgs089n08sl.pdf

HGS089N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

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