HGS085NE6AL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS085NE6AL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 518 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS085NE6AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS085NE6AL даташит

 ..1. Size:927K  cn hunteck
 hgs085ne6al.pdf pdf_icon

HGS085NE6AL

HGS085NE6AL P-1 70V N-Ch Power MOSFET Feature 70 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 10 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 14 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application SOIC-8 Synchronous Rectification in SMPS Drain

 7.1. Size:926K  cn hunteck
 hgs085n10sl.pdf pdf_icon

HGS085NE6AL

HGS085N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.1 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 8.4 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 14 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

 9.1. Size:917K  cn hunteck
 hgs080n10sl.pdf pdf_icon

HGS085NE6AL

HGS080N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 8.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 14 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching an

 9.2. Size:907K  cn hunteck
 hgs080n10al.pdf pdf_icon

HGS085NE6AL

HGS080N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 14.4 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGS054NE4SL, HGS059N08A, HGS059N08AL, HGS060N06SL, HGS063N08SL, HGS080N10AL, HGS080N10SL, HGS085N10SL, IRF830, HGS089N08SL, HGS090N06SL, HGS090NE6A, HGS090NE6AL, HGS092NE6AL, HGS095NE4SL, HGS098N06SL, HGS098N10A