Справочник MOSFET. HGS085NE6AL

 

HGS085NE6AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS085NE6AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 518 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS085NE6AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS085NE6AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:927K  cn hunteck
 hgs085ne6al.pdf pdf_icon

HGS085NE6AL

HGS085NE6AL P-170V N-Ch Power MOSFETFeature70 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability10RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplicationSOIC-8 Synchronous Rectification in SMPSDrain

 7.1. Size:926K  cn hunteck
 hgs085n10sl.pdf pdf_icon

HGS085NE6AL

HGS085N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

 9.1. Size:917K  cn hunteck
 hgs080n10sl.pdf pdf_icon

HGS085NE6AL

HGS080N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching an

 9.2. Size:907K  cn hunteck
 hgs080n10al.pdf pdf_icon

HGS085NE6AL

HGS080N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness14.4 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGS054NE4SL , HGS059N08A , HGS059N08AL , HGS060N06SL , HGS063N08SL , HGS080N10AL , HGS080N10SL , HGS085N10SL , IRF1405 , HGS089N08SL , HGS090N06SL , HGS090NE6A , HGS090NE6AL , HGS092NE6AL , HGS095NE4SL , HGS098N06SL , HGS098N10A .

History: FQI10N20CTU | WFJ5N65B | RSS050P03FU6TB | SD10425JAA | LSD55R140GT | SI2312A | APT3565BN

 

 
Back to Top

 


 
.