HGS092NE6AL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGS092NE6AL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 261 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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HGS092NE6AL datasheet

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HGS092NE6AL

HGS092NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 8.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 13.4 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain SOIC-8 Application Synchronous Rectification i

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HGS092NE6AL

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HGS092NE6AL

HGS098N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 8.7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 13 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching a

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