HGS092NE6AL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS092NE6AL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 261 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS092NE6AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS092NE6AL даташит

 ..1. Size:951K  cn hunteck
 hgs092ne6al.pdf pdf_icon

HGS092NE6AL

HGS092NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 8.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 13.4 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain SOIC-8 Application Synchronous Rectification i

 9.1. Size:912K  cn hunteck
 hgs098n10a.pdf pdf_icon

HGS092NE6AL

 9.2. Size:817K  cn hunteck
 hgs090n06sl.pdf pdf_icon

HGS092NE6AL

 9.3. Size:915K  cn hunteck
 hgs098n10sl.pdf pdf_icon

HGS092NE6AL

HGS098N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 8.7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 13 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGS080N10AL, HGS080N10SL, HGS085N10SL, HGS085NE6AL, HGS089N08SL, HGS090N06SL, HGS090NE6A, HGS090NE6AL, K2611, HGS095NE4SL, HGS098N06SL, HGS098N10A, HGS098N10AL, HGS098N10SL, HGS110N08A, HGS110N08AL, HGS120N06SL