HGS092NE6AL - аналоги и даташиты транзистора

 

HGS092NE6AL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGS092NE6AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 261 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS092NE6AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS092NE6AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:951K  cn hunteck
 hgs092ne6al.pdf pdf_icon

HGS092NE6AL

HGS092NE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level8.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability12.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness13.4 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainSOIC-8Application Synchronous Rectification i

 9.1. Size:912K  cn hunteck
 hgs098n10a.pdf pdf_icon

HGS092NE6AL

HGS098N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching 8.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability13 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrainSOIC-8Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit2

 9.2. Size:817K  cn hunteck
 hgs090n06sl.pdf pdf_icon

HGS092NE6AL

HGS090N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 7.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability10.2RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrainSOIC-8Pin2

 9.3. Size:915K  cn hunteck
 hgs098n10sl.pdf pdf_icon

HGS092NE6AL

HGS098N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 8.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness13 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGS080N10AL , HGS080N10SL , HGS085N10SL , HGS085NE6AL , HGS089N08SL , HGS090N06SL , HGS090NE6A , HGS090NE6AL , K2611 , HGS095NE4SL , HGS098N06SL , HGS098N10A , HGS098N10AL , HGS098N10SL , HGS110N08A , HGS110N08AL , HGS120N06SL .

 

 
Back to Top

 


 
.