HGS095NE4SL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGS095NE4SL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 309 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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HGS095NE4SL datasheet

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HGS095NE4SL

HGS095NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.9 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 13.5 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS SOIC-8 Hard Swi

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HGS095NE4SL

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HGS095NE4SL

HGS098N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 8.7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 13 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching a

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