Справочник MOSFET. HGS095NE4SL

 

HGS095NE4SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS095NE4SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 309 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS095NE4SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS095NE4SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  cn hunteck
 hgs095ne4sl.pdf pdf_icon

HGS095NE4SL

HGS095NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.9RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness13.5 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Swi

 9.1. Size:912K  cn hunteck
 hgs098n10a.pdf pdf_icon

HGS095NE4SL

HGS098N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching 8.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability13 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrainSOIC-8Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit2

 9.2. Size:817K  cn hunteck
 hgs090n06sl.pdf pdf_icon

HGS095NE4SL

HGS090N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 7.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability10.2RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness14 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrainSOIC-8Pin2

 9.3. Size:915K  cn hunteck
 hgs098n10sl.pdf pdf_icon

HGS095NE4SL

HGS098N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 8.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness13 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGS080N10SL , HGS085N10SL , HGS085NE6AL , HGS089N08SL , HGS090N06SL , HGS090NE6A , HGS090NE6AL , HGS092NE6AL , 2SK3918 , HGS098N06SL , HGS098N10A , HGS098N10AL , HGS098N10SL , HGS110N08A , HGS110N08AL , HGS120N06SL , HGS120N10AL .

History: IPP90R800C3 | CEP6086 | ZXM62N03G | IXTK17N120L | CTD03N4P3 | 2SK60 | P6403FMG

 

 
Back to Top

 


 
.