HGS098N10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGS098N10A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 262 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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HGS098N10A datasheet

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HGS098N10A

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HGS098N10A

HGS098N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 8.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 12.9 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

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HGS098N10A

HGS098N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 8.7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 13 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching a

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HGS098N10A

HGS098N06SL P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.4 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 12.8 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS SOIC-8 Hard S

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