Справочник MOSFET. HGS098N10A

 

HGS098N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS098N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 262 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS098N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS098N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  cn hunteck
hgs098n10a.pdfpdf_icon

HGS098N10A

HGS098N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching 8.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability13 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrainSOIC-8Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit2

 0.1. Size:907K  cn hunteck
hgs098n10al.pdfpdf_icon

HGS098N10A

HGS098N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 8.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness12.9 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

 5.1. Size:915K  cn hunteck
hgs098n10sl.pdfpdf_icon

HGS098N10A

HGS098N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 8.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness13 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching a

 7.1. Size:936K  cn hunteck
hgs098n06sl.pdfpdf_icon

HGS098N10A

HGS098N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability12.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness12.8 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard S

Другие MOSFET... HGS085NE6AL , HGS089N08SL , HGS090N06SL , HGS090NE6A , HGS090NE6AL , HGS092NE6AL , HGS095NE4SL , HGS098N06SL , 2N7002 , HGS098N10AL , HGS098N10SL , HGS110N08A , HGS110N08AL , HGS120N06SL , HGS120N10AL , HGS120N10SL , HGS130N12SL .

History: TSM2N70CZ | HM7000 | TPP65R380C | BRCS030N03ZC | PSMN0R7-25YLD | IXFT94N30P3 | NCEA65NF036T4

 

 
Back to Top

 


 
.