HGS210N12SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGS210N12SL
Código: GS210N12SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 120 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 13.5 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 143 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGS210N12SL
HGS210N12SL Datasheet (PDF)
hgs210n12sl.pdf
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HGS210N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level20.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability25.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness8 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS
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