Справочник MOSFET. HGS210N12SL

 

HGS210N12SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS210N12SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS210N12SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS210N12SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:907K  cn hunteck
 hgs210n12sl.pdf pdf_icon

HGS210N12SL

HGS210N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level20.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability25.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness8 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... HGS110N08A , HGS110N08AL , HGS120N06SL , HGS120N10AL , HGS120N10SL , HGS130N12SL , HGS170N10AL , HGS195N15SL , 20N60 , HGS220N10SL , HGS230N10AL , HGS290N10SL , HGS380N12S , HGS480N15M , HGS650N15S , HGS650N15SL , HGS750N15M .

History: CJ3139KDW | AD8N60S | IXTQ96N15P | CEB6060N | FDS5170N7 | APM4012NU

 

 
Back to Top

 


 
.