HGS210N12SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS210N12SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS210N12SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS210N12SL даташит

 ..1. Size:907K  cn hunteck
 hgs210n12sl.pdf pdf_icon

HGS210N12SL

HGS210N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 20.0 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 25.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 8 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие IGBT... HGS110N08A, HGS110N08AL, HGS120N06SL, HGS120N10AL, HGS120N10SL, HGS130N12SL, HGS170N10AL, HGS195N15SL, 20N60, HGS220N10SL, HGS230N10AL, HGS290N10SL, HGS380N12S, HGS480N15M, HGS650N15S, HGS650N15SL, HGS750N15M