HGS290N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGS290N10SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de HGS290N10SL MOSFET
HGS290N10SL Datasheet (PDF)
hgs290n10sl.pdf

HGS290N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level22RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability26RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness7.4 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching a
Otros transistores... HGS120N10AL , HGS120N10SL , HGS130N12SL , HGS170N10AL , HGS195N15SL , HGS210N12SL , HGS220N10SL , HGS230N10AL , 50N06 , HGS380N12S , HGS480N15M , HGS650N15S , HGS650N15SL , HGS750N15M , HGS750N15ML , HGT007NE6A , HGT009N08A .
History: CEB740G | FTK10N10 | GT045N10M | SVSP11N65FJHD2 | CSD18502Q5B | BRCS2301MA | 2P829A
History: CEB740G | FTK10N10 | GT045N10M | SVSP11N65FJHD2 | CSD18502Q5B | BRCS2301MA | 2P829A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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