Справочник MOSFET. HGS290N10SL

 

HGS290N10SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS290N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS290N10SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS290N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:906K  cn hunteck
 hgs290n10sl.pdf pdf_icon

HGS290N10SL

HGS290N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level22RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability26RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness7.4 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching a

Другие MOSFET... HGS120N10AL , HGS120N10SL , HGS130N12SL , HGS170N10AL , HGS195N15SL , HGS210N12SL , HGS220N10SL , HGS230N10AL , 50N06 , HGS380N12S , HGS480N15M , HGS650N15S , HGS650N15SL , HGS750N15M , HGS750N15ML , HGT007NE6A , HGT009N08A .

History: APTC60DDAM45CT1G | 2SK2148-01 | HSU6004 | ZXM62N03G | IRF7480M | FTK3615 | RFG50N06

 

 
Back to Top

 


 
.