HGS380N12S Todos los transistores

 

HGS380N12S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGS380N12S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
 

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HGS380N12S Datasheet (PDF)

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HGS380N12S

HGS380N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level34.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability6 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Switching and High Spe

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History: IXFV15N100PS | IPP60R280C6 | UF07P15G-AE3-R | FMP30N60S1 | IXFV16N80PS | MPSD70M910B | FMP20N50E

 

 
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