HGS380N12S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGS380N12S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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HGS380N12S datasheet

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HGS380N12S

HGS380N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 34.0 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS SOIC-8 Hard Switching and High Spe

Otros transistores... HGS120N10SL, HGS130N12SL, HGS170N10AL, HGS195N15SL, HGS210N12SL, HGS220N10SL, HGS230N10AL, HGS290N10SL, IRFP460, HGS480N15M, HGS650N15S, HGS650N15SL, HGS750N15M, HGS750N15ML, HGT007NE6A, HGT009N08A, HGT015N10S