Справочник MOSFET. HGS380N12S

 

HGS380N12S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS380N12S
   Маркировка: GS380N12S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS380N12S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:904K  cn hunteck
 hgs380n12s.pdf pdf_icon

HGS380N12S

HGS380N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level34.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability6 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Switching and High Spe

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NCE70N380D | EV3400 | FDD8444L-F085 | NCEP01T15 | FQB25N33TM | AP2080K | TPCP8204

 

 
Back to Top

 


 
.