Справочник MOSFET. HGS380N12S

 

HGS380N12S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS380N12S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS380N12S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS380N12S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:904K  cn hunteck
 hgs380n12s.pdf pdf_icon

HGS380N12S

HGS380N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level34.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability6 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Switching and High Spe

Другие MOSFET... HGS120N10SL , HGS130N12SL , HGS170N10AL , HGS195N15SL , HGS210N12SL , HGS220N10SL , HGS230N10AL , HGS290N10SL , IRF640 , HGS480N15M , HGS650N15S , HGS650N15SL , HGS750N15M , HGS750N15ML , HGT007NE6A , HGT009N08A , HGT015N10S .

History: CEH2321 | 2SK3288ENTL | AON6324 | FQT13N06L | SWB085R68E7T | AON6946 | HEPF2004

 

 
Back to Top

 


 
.