HGS380N12S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS380N12S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS380N12S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS380N12S даташит

 ..1. Size:904K  cn hunteck
 hgs380n12s.pdf pdf_icon

HGS380N12S

HGS380N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 34.0 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS SOIC-8 Hard Switching and High Spe

Другие IGBT... HGS120N10SL, HGS130N12SL, HGS170N10AL, HGS195N15SL, HGS210N12SL, HGS220N10SL, HGS230N10AL, HGS290N10SL, IRFP460, HGS480N15M, HGS650N15S, HGS650N15SL, HGS750N15M, HGS750N15ML, HGT007NE6A, HGT009N08A, HGT015N10S