HGS480N15M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGS480N15M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de HGS480N15M MOSFET
HGS480N15M Datasheet (PDF)
hgs480n15m.pdf

HGS480N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching44RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability5.7 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 Power ToolsGate
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History: IXFV22N50P | HGS230N10AL | FMP16N50ES | IPP60R250CP | MPSU70M1K5 | STRH100N10
History: IXFV22N50P | HGS230N10AL | FMP16N50ES | IPP60R250CP | MPSU70M1K5 | STRH100N10



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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