HGS480N15M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGS480N15M
Código: GS480N15M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 10 nC
Tiempo de subida (tr): 7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 57 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.048 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGS480N15M
HGS480N15M Datasheet (PDF)
..1. Size:906K cn hunteck
hgs480n15m.pdf
hgs480n15m.pdf
HGS480N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching44RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability5.7 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 Power ToolsGate
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
