Справочник MOSFET. HGS480N15M

 

HGS480N15M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGS480N15M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HGS480N15M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS480N15M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:906K  cn hunteck
 hgs480n15m.pdf pdf_icon

HGS480N15M

HGS480N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching44RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability5.7 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 Power ToolsGate

Другие MOSFET... HGS130N12SL , HGS170N10AL , HGS195N15SL , HGS210N12SL , HGS220N10SL , HGS230N10AL , HGS290N10SL , HGS380N12S , IRFZ44 , HGS650N15S , HGS650N15SL , HGS750N15M , HGS750N15ML , HGT007NE6A , HGT009N08A , HGT015N10S , HGT016NE6A .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95

 

 
Back to Top

 


 
.