HGS480N15M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGS480N15M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HGS480N15M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGS480N15M даташит

 ..1. Size:906K  cn hunteck
 hgs480n15m.pdf pdf_icon

HGS480N15M

HGS480N15M P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching 44 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 5.7 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 Power Tools Gate

Другие IGBT... HGS130N12SL, HGS170N10AL, HGS195N15SL, HGS210N12SL, HGS220N10SL, HGS230N10AL, HGS290N10SL, HGS380N12S, IRFZ44, HGS650N15S, HGS650N15SL, HGS750N15M, HGS750N15ML, HGT007NE6A, HGT009N08A, HGT015N10S, HGT016NE6A