HGT007NE6A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGT007NE6A  📄📄 

Código: GT007NE6A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 360 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 280 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6011 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00075 Ohm

Encapsulados: TOLL

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HGT007NE6A datasheet

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HGT007NE6A

P-1 HGT007NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Smooth Switching 65 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 0.62 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 674 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 360 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

 9.1. Size:990K  cn hunteck
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HGT007NE6A

P-1 HGT009N08A 80V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Smooth Switching 80 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 0.75 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 585 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 360 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

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