HGT007NE6A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGT007NE6A
   Código: GT007NE6A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 360 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 280 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6011 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGT007NE6A

HGT007NE6A Datasheet (PDF)

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hgt007ne6a.pdf

P-1HGT007NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability0.62RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness674 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested360 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

9.1. Size:990K cn hunteck
hgt009n08a.pdf

P-1HGT009N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching80 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability0.75RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness585 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested360 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: