HGT007NE6A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGT007NE6A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 360 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6011 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00075 Ohm

Encapsulados: TOLL

 Búsqueda de reemplazo de HGT007NE6A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HGT007NE6A datasheet

 ..1. Size:992K  cn hunteck
 hgt007ne6a.pdf pdf_icon

HGT007NE6A

P-1 HGT007NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Smooth Switching 65 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 0.62 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 674 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 360 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

 9.1. Size:990K  cn hunteck
 hgt009n08a.pdf pdf_icon

HGT007NE6A

P-1 HGT009N08A 80V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Smooth Switching 80 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 0.75 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 585 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 360 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

Otros transistores... HGS230N10AL, HGS290N10SL, HGS380N12S, HGS480N15M, HGS650N15S, HGS650N15SL, HGS750N15M, HGS750N15ML, IRF640N, HGT009N08A, HGT015N10S, HGT016NE6A, HGT019N08A, HGT022N12S, HGT025N10A, HGT035N12S, HGT041N15S