Справочник MOSFET. HGT007NE6A

 

HGT007NE6A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGT007NE6A
   Маркировка: GT007NE6A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 280 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6011 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00075 Ohm
   Тип корпуса: TOLL

 Аналог (замена) для HGT007NE6A

 

 

HGT007NE6A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  cn hunteck
 hgt007ne6a.pdf

HGT007NE6A HGT007NE6A

P-1HGT007NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability0.62RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness674 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested360 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

 9.1. Size:990K  cn hunteck
 hgt009n08a.pdf

HGT007NE6A HGT007NE6A

P-1HGT009N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching80 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability0.75RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness585 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested360 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top