HGT007NE6A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGT007NE6A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6011 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00075 Ohm

Тип корпуса: TOLL

Аналог (замена) для HGT007NE6A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGT007NE6A даташит

 ..1. Size:992K  cn hunteck
 hgt007ne6a.pdf pdf_icon

HGT007NE6A

P-1 HGT007NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Smooth Switching 65 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 0.62 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 674 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 360 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

 9.1. Size:990K  cn hunteck
 hgt009n08a.pdf pdf_icon

HGT007NE6A

P-1 HGT009N08A 80V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Smooth Switching 80 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 0.75 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 585 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 360 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

Другие IGBT... HGS230N10AL, HGS290N10SL, HGS380N12S, HGS480N15M, HGS650N15S, HGS650N15SL, HGS750N15M, HGS750N15ML, IRF640N, HGT009N08A, HGT015N10S, HGT016NE6A, HGT019N08A, HGT022N12S, HGT025N10A, HGT035N12S, HGT041N15S