Справочник MOSFET. HGT007NE6A

 

HGT007NE6A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGT007NE6A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6011 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00075 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для HGT007NE6A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGT007NE6A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  cn hunteck
 hgt007ne6a.pdf pdf_icon

HGT007NE6A

P-1HGT007NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability0.62RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness674 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested360 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

 9.1. Size:990K  cn hunteck
 hgt009n08a.pdf pdf_icon

HGT007NE6A

P-1HGT009N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching80 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability0.75RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness585 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested360 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

Другие MOSFET... HGS230N10AL , HGS290N10SL , HGS380N12S , HGS480N15M , HGS650N15S , HGS650N15SL , HGS750N15M , HGS750N15ML , IRF630 , HGT009N08A , HGT015N10S , HGT016NE6A , HGT019N08A , HGT022N12S , HGT025N10A , HGT035N12S , HGT041N15S .

History: CEM3258 | HGT022N12S | DMP6110SSD | HM70P04 | HGB050N14S | DAMI220N200

 

 
Back to Top

 


 
.