SDU06N60 Todos los transistores

 

SDU06N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SDU06N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.48 Ohm

Encapsulados: TO252 DPAK

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SDU06N60 datasheet

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SDU06N60

Green Product SDU/D06N60 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 600V 6A 1.18 @ VGS=10V Suface Mount Package. D G G S S SDU SERIES SDD SERIES SDD SERIES TO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)

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SDU06N60

Green Product SDU/D06N70 SamHop Microelectronics corp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 700V 6A 1.3 @VGS=10V Suface Mount Package. D G G S S SDU SERIES SDD SERIES SDD SERIES TO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK) ORDERI

Otros transistores... FDS8958B , SP2013 , SP07N65 , FDS8978 , 2SK3116B , FDS8984 , SDU07N65 , FDS8984F085 , RU7088R , FDS9400A , FDS9431A , FDS9431AF085 , FDS9926A , FDS9933BZ , FDS9934C , SDU05N04 , FDS9945 .

History: BLF7G27L-135 | BUK6211-75C

 

 

 

 

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