Справочник MOSFET. SDU06N60

 

SDU06N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDU06N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.48 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для SDU06N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDU06N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  samhop
 sdu06n60 sdd06n60.pdf pdf_icon

SDU06N60

GreenProduct SDU/D06N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.600V 6A 1.18 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGGSSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)

 8.1. Size:131K  samhop
 sdu06n70 sdd06n70.pdf pdf_icon

SDU06N60

GreenProduct SDU/D06N70SamHop Microelectronics corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.700V 6A 1.3 @VGS=10V Suface Mount Package.DGGSSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERI

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: RU6H9P | 2N6661-220M | NTD5804N | BUK7528-55 | SML80J28 | 2N6661JAN

 

 
Back to Top

 


 
.