HGT025N10A Todos los transistores

 

HGT025N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGT025N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 341 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
 

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HGT025N10A Datasheet (PDF)

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HGT025N10A

HGT025N10AP-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching 1.97RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 258 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 240 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Sw

 9.1. Size:984K  cn hunteck
 hgt022n12s.pdf pdf_icon

HGT025N10A

HGT022N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching120 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability1.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness341 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit DC/D

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History: APT904R2BN | WFF630 | RJK1212DNS | 2SK786 | IXTK80N25 | AP80N03GP | RJK4502DJE

 

 
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