HGT025N10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGT025N10A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 341 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TOLL

Аналог (замена) для HGT025N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGT025N10A даташит

 ..1. Size:1221K  cn hunteck
 hgt025n10a.pdf pdf_icon

HGT025N10A

HGT025N10A P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 1.97 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 258 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 240 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Sw

 9.1. Size:984K  cn hunteck
 hgt022n12s.pdf pdf_icon

HGT025N10A

HGT022N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 120 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 1.8 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 341 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit DC/D

Другие IGBT... HGS750N15M, HGS750N15ML, HGT007NE6A, HGT009N08A, HGT015N10S, HGT016NE6A, HGT019N08A, HGT022N12S, AON6414A, HGT035N12S, HGT041N15S, HGT055N15S, HGW053N06SL, HGW055N10SL, HGW059N12S, HGW059N12SL, HGW100N12S