Справочник MOSFET. HGT025N10A

 

HGT025N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGT025N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 341 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGT025N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1221K  cn hunteck
 hgt025n10a.pdf pdf_icon

HGT025N10A

HGT025N10AP-1100V N-Ch Power MOSFETFeature 100 VVDS High Speed Power Switching 1.97RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 258 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 240 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Sw

 9.1. Size:984K  cn hunteck
 hgt022n12s.pdf pdf_icon

HGT025N10A

HGT022N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching120 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability1.8RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness341 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit DC/D

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: BSC022N04LS6 | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | PJD2NA60 | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.