HGW190N15S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGW190N15S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 79 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: TO-262

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HGW190N15S datasheet

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HGW190N15S

HGW190N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET 150 V VDS Feature TO-262 16 RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching 79 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application DC-DC Conversion Drain Hard Switching and High Speed Circuit Pi

 0.1. Size:775K  cn hunteck
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HGW190N15S

HGW190N15SL P-1 150V N-Ch Power MOSFET 150 V VDS Feature 16.0 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 19 RDS(on),typ VGS=4.5V m switching,Logic level 69 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Application DC-DC Conversion Drain Hard Switching and H

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HGW190N15S

HGW195N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 16 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 59 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit TO

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