HGW190N15S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGW190N15S 📄📄
Маркировка: GW190N15S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для HGW190N15S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGW190N15S даташит
hgw190n15s.pdf
HGW190N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET 150 V VDS Feature TO-262 16 RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching 79 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application DC-DC Conversion Drain Hard Switching and High Speed Circuit Pi
hgw190n15sl.pdf
HGW190N15SL P-1 150V N-Ch Power MOSFET 150 V VDS Feature 16.0 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 19 RDS(on),typ VGS=4.5V m switching,Logic level 69 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Application DC-DC Conversion Drain Hard Switching and H
hgw195n15s.pdf
HGW195N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 16 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 59 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit TO
Другие IGBT... HGW055N10SL, HGW059N12S, HGW059N12SL, HGW100N12S, HGW100N12SL, HGW105N15M, HGW105N15SL, HGW130N12S, IRF9540N, HGW190N15SL, HGW195N15S, HTA1K2P10, HTB025N03, HTD025N03, HTD035N03, HTD040N03, HTD058N03R
History: SFP634
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394



