HTA1K2P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTA1K2P10
Código: TA1K2P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 38 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 22 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 58 nC
Tiempo de subida (tr): 67 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.12 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
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HTA1K2P10 Datasheet (PDF)
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hta1k2p10.pdf
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HTA1K2P10P-1100V P-Ch Power MOSFETFeature-100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level105RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness-22 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-220FDrainGatePart Number Pac
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