HTA1K2P10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTA1K2P10  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de HTA1K2P10 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HTA1K2P10 datasheet

 ..1. Size:572K  cn hunteck
 hta1k2p10.pdf pdf_icon

HTA1K2P10

HTA1K2P10 P-1 100V P-Ch Power MOSFET Feature -100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 105 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness -22 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor TO-220F Drain Gate Part Number Pac

Otros transistores... HGW100N12S, HGW100N12SL, HGW105N15M, HGW105N15SL, HGW130N12S, HGW190N15S, HGW190N15SL, HGW195N15S, AO3401, HTB025N03, HTD025N03, HTD035N03, HTD040N03, HTD058N03R, HTD060N03, HTD070N04, HTD080P03