HTA1K2P10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HTA1K2P10
Маркировка: TA1K2P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 58 nC
Время нарастания (tr): 67 ns
Выходная емкость (Cd): 130 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.12 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
HTA1K2P10 Datasheet (PDF)
..1. Size:572K cn hunteck
hta1k2p10.pdf
hta1k2p10.pdf
HTA1K2P10P-1100V P-Ch Power MOSFETFeature-100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level105RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness-22 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-220FDrainGatePart Number Pac
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
