HTA1K2P10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HTA1K2P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для HTA1K2P10
HTA1K2P10 Datasheet (PDF)
hta1k2p10.pdf

HTA1K2P10P-1100V P-Ch Power MOSFETFeature-100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level105RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness-22 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-220FDrainGatePart Number Pac
Другие MOSFET... HGW100N12S , HGW100N12SL , HGW105N15M , HGW105N15SL , HGW130N12S , HGW190N15S , HGW190N15SL , HGW195N15S , IRFP260 , HTB025N03 , HTD025N03 , HTD035N03 , HTD040N03 , HTD058N03R , HTD060N03 , HTD070N04 , HTD080P03 .
History: FQB2N90TM
History: FQB2N90TM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SSC8P22CN2 | SSC8P22AN3 | SSC8P20AN2 | SSC8K23GN2 | SSC8K21GN3 | SSC8415GS6 | AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF
Popular searches
c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet