HTA1K2P10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTA1K2P10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HTA1K2P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTA1K2P10 даташит

 ..1. Size:572K  cn hunteck
 hta1k2p10.pdf pdf_icon

HTA1K2P10

HTA1K2P10 P-1 100V P-Ch Power MOSFET Feature -100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 105 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness -22 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor TO-220F Drain Gate Part Number Pac

Другие IGBT... HGW100N12S, HGW100N12SL, HGW105N15M, HGW105N15SL, HGW130N12S, HGW190N15S, HGW190N15SL, HGW195N15S, AO3401, HTB025N03, HTD025N03, HTD035N03, HTD040N03, HTD058N03R, HTD060N03, HTD070N04, HTD080P03